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J-GLOBAL ID:200903050233292020
ナノストラクチャの電気誘発性破壊のためのシステムおよび方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002554893
Publication number (International publication number):2004517489
Application date: Dec. 21, 2001
Publication date: Jun. 10, 2004
Summary:
【課題】ナノストラクチャの電気誘発性破壊のためのシステムおよび方法を提供すること。【解決手段】デバイスを形成する方法を提供する。この方法では、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を含む絶縁基板を用意する。この方法ではさらに、基板と接触した金属性および半導電性コンポーネント・ナノチューブを含むカーボン・ナノチューブ束を形成する。この方法ではさらに、ゲート電極に電圧を印加して、半導電性コンポーネント・ナノチューブのキャリアを枯渇させ、ナノチューブを通してソース電極からドレイン電極に電流を流し、少なくとも1つの金属性コンポーネント・ナノチューブを破壊して、電界効果トランジスタを形成する。カーボン・ナノチューブ束は、多壁ナノチューブまたは単壁ナノチューブ・ロープとすることができる。【選択図】図16
Claim (excerpt):
基板を用意する段階と、
前記基板と接触した複数のナノチューブを形成する段階と、
電流を使用してナノチューブを選択的に破壊する段階
を含むデバイス形成方法。
IPC (3):
H01L29/06
, B82B3/00
, H01L29/786
FI (3):
H01L29/06 601N
, B82B3/00
, H01L29/78 618B
F-Term (4):
5F110AA30
, 5F110DD01
, 5F110GG01
, 5F110GG58
Article cited by the Patent:
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