Pat
J-GLOBAL ID：200903050237189461
データ記憶素子におけるデータの読出および復元方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996247215
Publication number (International publication number)：1997120686
Application date： Aug. 29, 1996
Publication date： May. 06, 1997
Summary：
【要約】【課題】 FERAM(10)においてデータを読み出し復元する方法を提供する。【解決手段】 FERAM(10)は、FET(11)と強誘電体コンデンサ(12)とを含む。FETは、ワード線(14)に接続されたゲートと、強誘電体コンデンサを介してプレート線(15)に結合されたソースと、ビット線(16)に接続されたドレインとを有する。リード・プロセスは、所定量の電荷をビット線コンデンサ(17)に供給することによって開始される。FETがオンになった後、強誘電体コンデンサが充電され、FERAMに記憶されているデータによって決定される電圧低下が、ビット線に発生する。これにしたがって、センス・アンプ(18)は、ビット線における電圧を調節し、FERAMからデータを読み出す。プレート線に電圧を印加し、FETをオフに切り換えることによって、FERAMにデータが復元される。
Claim (excerpt)：
データ記憶素子(10)においてデータを読み出し、復元する方法であって:スイッチ(11)と分極保持コンデンサ(12)とを有する前記データ記憶素子(10)であって、前記スイッチ(11)は、制御信号を受信するために結合された制御電極と、復元信号を受信するために前記分極保持コンデンサ(12)を介して結合された第1電流導通電極と、データを伝送するために結合された第2電流導通電極とを有する、前記データ記憶素子を用意する段階;前記データ記憶素子(10)にデータを供給する段階;前記スイッチ(11)を非導通状態にする段階;前記分極保持コンデンサ(12)を通じて、前記スイッチ(11)の第1電流導通導通電極に第1復元信号を印加する段階;前記スイッチ(11)の第2電流導通電極に充電電圧を供給する段階;前記スイッチ(11)の第2電流導通電極に印加した前記充電電圧を除去する段階;前記スイッチを導通状態にする段階;前記スイッチ(11)の第2電流導通電極における電圧に応答して、前記スイッチ(11)の第2電流導通電極にデータ値電圧を印加し、前記データ記憶素子(10)からデータを読み出す段階;前記分極保持コンデンサ(12)を通じて、前記スイッチ(11)の第1電流導通電極に第2復元信号を印加する段階;および前記スイッチ(11)を非導通状態とし、前記データ記憶素子(10)においてデータを復元する段階;から成ることを特徴とする方法。
IPC (8)：
G11C 14/00
, G11C 11/22
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 11/34 352 A
, G11C 11/22
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
