Pat
J-GLOBAL ID：200903050243880877
半導体装置およびこれを使用した発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997289468
Publication number (International publication number)：1999126922
Application date： Oct. 22, 1997
Publication date： May. 11, 1999
Summary：
【要約】【課題】 耐熱性および高電気伝導度を有する半導体装置およびこれを使用した発光素子を提供する。【解決手段】 熱的に十分に安定なダイヤモンドを利用したダイヤモンドp型半導体膜11に、リンをドープしたダイヤモンドn型半導体膜12をpn接合して半導体装置10を構成し、この半導体装置10にオーミック電極21a,21bを対をなして挟むように設けて発光素子20を構成した。
Claim (excerpt)：
ダイヤモンドp型半導体膜と、リンをドープしたダイヤモンドn型半導体膜とを備えてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 33/00 A
, C30B 29/04 W
