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J-GLOBAL ID：200903050246584888
ドライエッチング装置及びその方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993148904
Publication number (International publication number)：1995022390
Application date： Jun. 21, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：
【要約】【目的】 エッチングダメージを抑制した拡散方式のドライエッチング装置及びその方法を提供する。【構成】 電子サイクロトロン共鳴放電またはヘリコン波による放電などを利用したプラズマを発生するためのプラズマ発生部2と、プラズマ発生部2に接続され、かつ試料1がステージ13上に設置されたプラズマ処理室3と、プラズマ処理室3の外周辺にかつ試料1面よりプラズマ発生部2側に設置され、トーラス状に形成されたソレノイドコイル4とを備え、ソレノイドコイル4の発生する磁界を最適化することにより、多量の荷電粒子が試料1に入射することによるMOS構造デバイスのゲート酸化膜破壊の防止、あるいはプラズマ処理室3でのプラズマの高密度化を達成できる。
Claim (excerpt)：
プラズマを発生するためのプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に接続されかつ試料がステージ上に設置されたプラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内の荷電粒子密度を制御する手段とを備えたドライエッチング装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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