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J-GLOBAL ID：200903050252123310

プラズマ処理方法

Inventor： 赤堀 孝 ,  石塚 修一 ,  戸澤 昌紀 ,  中瀬 りさ ,  斎藤 正英
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996320914
Publication number (International publication number)：1998144667
Application date： Nov. 14, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 真空容器内部のパーティクルを低減し、被処理基板に対して安定したプラズマ処理を行なうこと。【解決手段】 プラズマ処理装置において、成膜処理が終了した後、クリ-ニングガスを導入し、クリ-ニングガスをプラズマ化することにより真空容器2の内部に付着したCF膜を除去するクリ-ニングを行なう。この後CF系のガス例えばC4 F8 ガスを60sccmの流量で導入すると共に、プラズマガス例えばArガスを150sccmの流量で導入することにより、圧力0.2Pa、マイクロ波電力2700kWの条件下でプリコ-トを行なう。このようにすると、真空容器2の内壁面がCF系の膜よりなるプリコ-ト膜で覆われる。この後成膜処理を行なうと、プリコ-ト膜は成膜ガスとは反応しにくいのでパーティクルの発生が抑えられる。

Claim (excerpt)：

被処理基板の載置台が内部に設けられた真空容器内において、処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処理基板に対してプラズマ処理を行なうためのプラズマ処理方法において、クリ-ニングガスをプラズマ化し、そのプラズマにより前記真空容器内部に付着したフッ素添加カ-ボン膜を除去するクリ-ニング工程と、次いでプリコ-トガスをプラズマ化し、そのプラズマにより前記真空容器の内壁にプリコ-ト膜を成膜するプリコ-ト工程と、続いて処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処理基板に対してフッ素添加カ-ボン膜を成膜する成膜処理工程と、を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/304 341

FI (2)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/304 341 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-345030
  
• 炭素膜作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-269270   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所