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J-GLOBAL ID：200903050262262530

ウエーハの製造方法

Inventor： 加藤 忠弘 ,  志摩 直 ,  中野 正己 ,  桝村 寿 ,  工藤 秀雄
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993064896
Publication number (International publication number)：1994275480
Application date： Mar. 24, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 センサーによる検知が可能であって、デバイス製造時のフォトリソグラフィー工程における露光の解像度低下を防いでデバイスの歩留りを高めることができるウエーハを製造する方法を提供すること。【構成】 ウエーハの製造方法において、エッチング工程Dと表面研磨工程Fとの間に、ウエーハの裏面形状を調整するための裏面調整工程Eを組み込み、該裏面調整工程Eとして、例えばエッチング工程Dによってウエーハの裏面に形成された大きな波状の凹凸を除去する裏面研磨工程E1と、該裏面研磨工程E1によって研磨されたウエーハの裏面粗さを大きくするためのエッチング処理工程E2を採用する。本発明によれば、ウエーハは裏面研磨工程E1によってその裏面の凹凸が除去された後、エッチング処理工程E2によって裏面粗さがセンサーの検知及び異物の吸収に必要十分な程度に大きくされるため、前記目的が達成される。

Claim (excerpt)：

単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエーハを得るスライス工程と、該スライス工程によって得られたウエーハを面取りする面取り工程と、面取りされたウエーハを平面化するラッピング工程と、ラッピングされたウエーハの加工歪を除去するエッチング工程と、エッチングされたウエーハの片面を研磨する表面研磨工程と、研磨されたウエーハを洗浄する洗浄工程を含むウエーハの製造方法において、前記エッチング工程と表面研磨工程との間に、ウエーハの裏面形状を調整するための裏面調整工程を組み込んだことを特徴とするウエーハの製造方法。