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J-GLOBAL ID：200903050263620863

検査方法およびその装置

Inventor： 梅村 馨 ,  川浪 義実 ,  間所 祐一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993131689
Publication number (International publication number)：1994342638
Application date： Jun. 02, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 シリコンウエハまたはシリコンデバイスを試料とし、試料または試料の製造ラインに対してコンタミネイションを与えないイオン源または集束イオンビーム照射系で形成した集束イオンビームを試料に照射し、試料上に新たな構造を形成するか、集束イオンビーム照射によって得られる信号を得て、試料または製造工程の来歴を検査する方法およびその装置を提供する。【構成】 ゲルマニウムやシリコン単体、もしくはそれらの合金をイオン材料とした液体金属イオン源11、不活性ガス種、特に、ネオン、クリプトン、アルゴン、ゼノン、窒素をイオン材料とした電界電離ガスイオン源またはEHDイオン源の何れかのイオン源と、集束イオンビーム形成照射手段と、試料であるシリコンウエハまたはシリコンデバイスを保持する試料台19と、集束イオンビームの試料への照射によって試料の製造来歴の検査する検査手段から構成される。

Claim (excerpt)：

集束イオンビームを試料に照射して、該試料上に新たな構造を形成することによるか、もしくは上記集束イオンビーム照射による上記試料からの信号を得ることによって上記試料自身またはその製造来歴を検査する方法であって、上記集束イオンビームは上記試料または試料の製造ラインに対するコンタミネイションを発生しないイオン源および集束イオンビーム照射系によって形成されることを特徴とする検査方法。

IPC (7)：

H01J 37/08 ,  H01J 37/22 ,  H01J 37/244 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/30 ,  H01J 37/31 ,  H01J 49/26