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J-GLOBAL ID：200903050269544727

ダイヤモンド薄膜素子の製造方法

Inventor： 松山 秀昭 ,  山田 恵子 ,  遠藤 知子
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993118847
Publication number (International publication number)：1994334171
Application date： May. 21, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】ダイヤモンド薄膜を成膜後、酸素中で高温処理すると、その上に電極を設けたときのショットキー接合特性が改善されるが、危険性があること、装置が高価であるという問題を解決する。【構成】大気中で400 〜700 °Cの温度で熱処理することにより、大気中の酸素が反応して膜中のグラファイト等の炭素成分を選択的に除去する効果が得られ、ショットキー接合特性が改善される。

Claim (excerpt)：

気相合成法によって基板上に成膜したp形ダイヤモンド薄膜を大気中で熱処理したのち、その表面にショットキー接合を形成する電極を被着することを特徴とするダイヤモンド薄膜素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/48 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/93