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J-GLOBAL ID：200903050271567840

SOI基板内に絶縁トレンチを形成する方法

Inventor： ウド シユワルケ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994253085
Publication number (International publication number)：1995153833
Application date： Sep. 21, 1994
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 SOI基板内に機械的応力により惹起されるSOI基板の単結晶シリコン層内の結晶欠陥を低減する絶縁トレンチを形成する方法を提供する。【構成】 単結晶シリコン層3及び絶縁層2を有するSOI基板内に絶縁トレンチを形成するのに単結晶シリコン層3内に絶縁層2上にまで達し、その断面が絶縁層2の表面で単結晶シリコン層のアンダーエッチング部6により拡張されるトレンチ5をエッチングする。少なくともトレンチ5の側壁を覆い、アンダーエッチング部6を充填するシリコン構造物8を形成する。このシリコン構造物8を熱処理工程で再結晶化し、少なくとも部分的に酸化する。トレンチ5を絶縁構造物で充填する。

Claim (excerpt)：

SOI基板が単結晶シリコンウェハ(1)、その上に配設されたSiO2 からなる絶縁層(2)及び更にその上に配設された単結晶シリコン層(3)を含んでおり、単結晶シリコン層(3)内に、絶縁層(2)上にまで達しその断面が絶縁層(2)の表面で単結晶シリコン層(3)のアンダーエッチング部(6)により拡張されるトレンチ(5)をエッチングし、少なくともトレンチ(5)の側壁を覆いアンダーエッチング部(6)を充填するシリコン構造物(8)を形成し、このシリコン構造物(8)を熱処理工程で再結晶化し、シリコン構造物(8)を少なくとも部分的に酸化し、トレンチ(6)を絶縁構造物(11、12)で充填することを特徴とするSOI基板内に絶縁トレンチを形成する方法。

IPC (2)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/12