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J-GLOBAL ID：200903050274272212

レーザ蒸着法による薄膜の成膜方法

Inventor： 永石 竜起 ,  糸▲崎▼ 秀夫
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 越場 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995260846
Publication number (International publication number)：1996134631
Application date： Sep. 13, 1995
Publication date： May. 28, 1996
Summary：

【要約】【課題】 表面が平滑な高品質の酸化物超電導薄膜をレーザ蒸着法で成膜する。【解決手段】 内部の圧力および雰囲気が調整可能な気密チャンバ内でターゲットにレーザ光を照射して、ターゲットの被照射面に垂直に配置した基板成膜面上に酸化物超電導薄膜を成長させる。気密チャンバ内の圧力は、Y1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜の場合0.8 〜 1.5Torr、特に1〜1.5Torr、SrTiO3薄膜の場合、0.15〜0.3Torr、CeO2 薄膜の場合、0.03〜0.07Torrとする。

Claim (excerpt)：

内部の圧力および雰囲気が調整可能な気密チャンバ内でターゲットにレーザ光を照射して、ターゲットの被照射面に垂直に配置した基板の成膜面上にY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜を成長させる方法であって、気密チャンバ内の圧力を0.8 〜 1.5Torrとして成膜を行うことを特徴とする薄膜の成膜方法。

IPC (7)：

C23C 14/08 ZAA ,  C01G 1/00 ZAA ,  C01G 3/00 ZAA ,  C23C 14/28 ZAA ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA ,  C30B 29/22 501

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-193606
  
• 特開平2-017685
  
• 特公平4-053818
  
• 特開平2-122069
  
• 特開平2-209479