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J-GLOBAL ID：200903050274919909

薄膜太陽電池の製造方法

Inventor： 佐々木 隆興
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994296100
Publication number (International publication number)：1996153882
Application date： Nov. 30, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】上面から入射した光が光電変換半導体層を通ってその下の電極表面で乱反射させ、光電変換効率を高めるための、凹凸化した電極表面を、簡単な方法で形成する。【構成】基板上にあるいは基板上に被着した金属薄膜面上に有機ガスの分解により炭素微粒子を分散させ、その上を金属薄膜で覆うことにより、表面が凹凸化した電極表面層が容易に得られる。金属薄膜の代わりに導電性の金属酸化物の薄膜を用いてもよい。

Claim (excerpt)：

基板上に第一電極層、光電変換半導体層、透明第二電極層を積層してなる薄膜太陽電池の製造方法において、第一電極層形成の際に、一平面上に炭素微粒子を分散させる工程と、その炭素からなる微粒子を導電性材料からなる薄膜によって覆う工程とを含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。