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J-GLOBAL ID：200903050276684526

半導体発光装置

Inventor： 堂免 恵 ,  穴山 親志 ,  近藤 真人
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992314702
Publication number (International publication number)：1994164054
Application date： Nov. 25, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体発光装置に関し、極めて簡単で且つ容易に実施できる手段で、クラッド層から活性層にp型不純物が拡散されないようにして、半導体レーザの特性が劣化するのを防止する。【構成】 Zn或いはMgであるp型不純物を含有したp型AlGaInPクラッド層16並びにノンドープであるGaInP活性層14の間に前記Zn或いはMgであるp型不純物及びSeを共にドーピングしたAlGaInP不純物拡散抑止層15を介在させてある。

Claim (excerpt)：

Zn或いはMgであるp型不純物を含有したクラッド層及びノンドープである活性層の間に前記Zn或いはMgであるp型不純物及びSeを共にドーピングした不純物拡散抑止層を介在させてなることを特徴とする半導体発光装置。