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J-GLOBAL ID：200903050278627597

積み上げ拡散層構造のMOSトランジスタおよびその製造方法

Inventor： 窪田 通孝
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993261853
Publication number (International publication number)：1995094722
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、簡単な製造プロセスで、トランジスタの信頼性を低下させることなく、MOSトランジスタのソース・ドレインを形成する拡散層上に導電層を積み上げて、ソース・ドレインの低抵抗化を図る。【構成】 半導体基板11の一部分上にゲート絶縁膜12、ゲート電極13およびキャップ絶縁膜14を積層状態に形成し、ゲート電極13の側壁側にサイドウォール絶縁膜15を形成し、ゲート電極13の両側における半導体基板11の上層に拡散層16,17を形成して、各拡散層16,17のそれぞれに接続する導電層22,23をサイドウォール絶縁膜15の側壁に形成する。この導電層22,23は、図示しないが、キャップ絶縁膜14を覆う状態に形成した導電層形成膜を研磨することによって、その表面を平坦に形成することも可能であり、その表面はキャップ絶縁膜14の上面とほぼ同一平面に形成されることが望ましい。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一部分上に形成したゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成したゲート電極と、前記ゲート電極上に形成したキャップ絶縁膜と、前記ゲート電極の側壁側に形成したサイドウォール絶縁膜と、前記ゲート電極の両側における前記半導体基板の上層に形成した拡散層と、前記各拡散層のそれぞれに対応して接続するもので前記サイドウォール絶縁膜の側壁に形成した導電層とからなることを特徴とする積み上げ拡散層構造のMOSトランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平1-183850
  
• 特開昭63-115376
  
• 特開昭61-063059
  
• 特開平1-175260
  
• 特開昭47-017381