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J-GLOBAL ID：200903050289168390

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： 上田 吉裕 ,  猪口 和彦 ,  湯浅 貴之
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996070027
Publication number (International publication number)：1997289352
Application date： Mar. 26, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 素子抵抗および駆動電圧を低減した高い信頼性を有する半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 GaAlInN層を含むダブルヘテロ構造の半導体レーザ装置において、0.1μm以上1.0μm以下の膜厚のInNコンタクト層を具備する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、GaxAlyIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1)層を含む半導体多層膜を形成して構成される半導体レーザ装置において、電極が形成されるべき層としてInNコンタクト層を具備してなることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/43

FI (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/46 Z