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J-GLOBAL ID：200903050291835565

分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor： 鬼頭 雅弘 ,  大塚 信之 ,  中村 真嗣 ,  石野 正人 ,  松井 康
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995249974
Publication number (International publication number)：1996274406
Application date： Sep. 27, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【課題】 作製が容易でき、信頼性に優れた利得結合型分布帰還型レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上に回折格子2を形成する。水素雰囲気中にPH3100cc/minとAsH310cc/minを導入し、熱処理することにより、回折格子52の凹部にInAsP吸収層3を形成する。その後、有機金属気相成長法によりn型InPクラッド層4、n型InGaAsP導波路層5、InGaAsP井戸層とInGaAsP障壁層から構成されている多重量子井戸活性層56、p型InGaAsP導波路層7、p型InPクラッド層15、p型InGaAsPキャップ層を順次堆積する。ストライプ状メサをエッチングにより形成し、p型n型p型InP電流ブロック層8、9、10、p型InGaAsPコンタクト層11を順次堆積する。回折格子を形成したInP基板をPH3とAsH3の混合雰囲気中で熱処理することによりマストランスポート現象により回折格子の凹部にInAsP吸収層を周期的に形成し、利得の周期的変動を生じさせる。

Claim (excerpt)：

InP基板と該InP基板上に形成された多層構造とを備えた分布帰還型半導体レーザ装置であって、該多層構造は、少なくともレーザ光を放射するための活性層と、該レーザ光に光分布帰還を施す周期的構造とを含んでおり、該周期的構造は、該InP基板の主面に垂直で該レーザ装置の共振器方向に平行な断面において、該InP基板の方向に突き出た頂点を持つ三角形の形状を持つ複数の半導体部分を有している分布帰還型半導体レーザ装置。