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J-GLOBAL ID：200903050292203430

半導体装置

Inventor： 杉山 直治 ,  黒部 篤
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998030873
Publication number (International publication number)：1999233440
Application date： Feb. 13, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】歪シリコン層を得るための下地である結晶層の厚さを薄くすること。【解決手段】結晶基板21上に絶縁性結晶薄膜22を形成し、この絶縁性結晶薄膜上に絶縁性結晶薄膜層と格子定数が異り格子緩和しない厚さの歪半導体結晶24を作成する。この歪半導体結晶をチャネル部27とした半導体装置を得る。

Claim (excerpt)：

結晶基板と、この結晶基板上に形成された絶縁性結晶薄膜と、この絶縁性結晶薄膜上に形成された、前記絶縁性結晶薄膜層と格子定数が異り格子緩和しない厚さの半導体結晶とを具備することを特徴とする半導体装置。