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J-GLOBAL ID：200903050297799145

窒化物半導体レーザダイオードとその製造方法

Inventor： 杉本 康宜
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001356049
Publication number (International publication number)：2003158343
Application date： Nov. 21, 2001
Publication date： May. 30, 2003
Summary：

【要約】【課題】 高出力時においてもキンクの発生しない、寿命特性の良好な窒化物半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】 リッジを有し、そのリッジ両側に埋め込み層が形成された窒化物半導体レーザダイオードにおいて、埋め込み層を炭素の2重結合と3重結合とを含有する多結晶体からなるダイヤモンドライクカーボンとした。

Claim (excerpt)：

リッジを有し、そのリッジ両側に埋め込み層が形成された窒化物半導体レーザダイオードにおいて、前記埋め込み層は炭素の2重結合と3重結合とを含有する多結晶体からなるダイヤモンドライクカーボンからなることを特徴とする窒化物半導体レーザダイオード。

IPC (2)：

H01S 5/223 ,  H01S 5/343 610

FI (2)：

H01S 5/223 ,  H01S 5/343 610

F-Term (23)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073BA02 ,  5F073BA05 ,  5F073BA07 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB11 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073EA16 ,  5F073EA29