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J-GLOBAL ID：200903050313239872

光電変換素子の製造方法

Inventor： 山▲崎▼ 一郎
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991255348
Publication number (International publication number)：1993095127
Application date： Oct. 02, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 この発明は光電変換素子の高効率化および低価格化の向上を図る光電変換素子の製造方法に関するものである。【構成】 半導体層および半導体基板を透過した光を反射させるための反射層を、無電界めっき法により形成されている。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板の受光面側に第2導電型の半導体層を形成する工程と、この半導体層の受光面上に、受光面電極を形成する工程と、前記半導体基板の前記半導体層と反対側の面に、光起電力効果により得られる起電力を前記受光面電極との間で取出すための裏面電極を形成する工程と、前記半導体基板の前記半導体層と反対側の面および裏面電極を覆うように無電界めっき法により前記半導体層および半導体基板を透過した光を反射させるための反射層を形成する工程と、を備えた光電変換素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 31/04 ,  H01L 31/10 ,  H01L 29/40

FI (2)：

H01L 31/04 F ,  H01L 31/10 A