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J-GLOBAL ID：200903050348115807

窒素化合物結晶成長用燐化III族元素化合物基板の熱分解防止方法

Inventor： 助川 徳三 ,  田中 昭
Applicant, Patent owner： 助川 徳三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998122667
Publication number (International publication number)：1999279000
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Oct. 12, 1999
Summary：

【要約】【目的】窒素化合物半導体を導電性と劈開性をもつ燐化III族元素化合物基板上に成長するために、燐化III族元素化合物の熱分解を防ぎ、かつその上にIII族元素の窒素化合物半導体の種子結晶層を形成した基板の製造技術を目的とする。【構成】燐化III族元素化合物基板(1)とアンモニアガス(2)とを接触させ、基板を構成するP原子とアンモニアのN原子の置換反応によって、III族元素の窒素化合物結晶層(3)を形成する。

Claim (excerpt)：

窒素化合物結晶成長用の燐化III族元素化合物基板を、アンモニアガス雰囲気中で熱処理することにより、燐化III族元素化合物基板表面近傍の燐原子とアンモニアガスから供給される窒素原子とを入れ替えて、燐化III族元素化合物基板を包み込むように当該基板の全表面に窒素化合物結晶から成る保護層を形成することを特徴とする、燐化III族元素化合物基板の熱分解防止方法。

IPC (2)：

C30B 29/40 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C30B 29/40 C ,  H01L 21/205