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J-GLOBAL ID：200903050349858773
半導体力学量センサの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 強
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997349152
Publication number (International publication number)：1999186567
Application date： Dec. 18, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 検出感度の向上などを図った半導体力学量センサを容易に製造できるようにすること。【解決手段】 梁構造体3及び固定電極4の材料となる単結晶シリコン基板12を、支持基板2に対し、第1及び第2の支持アンカー3a及び4a並びにこれらの周囲に位置されたシリコン酸化膜13(犠牲層用薄膜)及びポリシリコン薄膜17などを介して貼り合わせた状態する。この状態から、単結晶シリコン基板12におけるおもり可動電極9と固定電極4との間の検出ギャップG相当位置に、縦断面形状が開口部に向かうに従って拡開したテーパ状の溝部20を形成し、この溝部20内に導電材料21を埋め込んだ後に当該導電材料21をエッチングすることによって、検出ギャップGを挟んで面対向する第1及び第2の面状電極10及び11を形成する。さらに、シリコン酸化膜13を除去する犠牲層エッチングを実行して、梁部7、8及びおもり可動電極9をリリースして可動構造とする。
Claim (excerpt)：
支持基板と、この支持基板上に第1の支持アンカーを介して支持され、力学量の作用に応じて前記支持基板の表面と平行する方向へ弾性変形可能に設けられた半導体材料製の梁構造体と、この梁構造体の側面に前記支持基板に対し垂直な状態で形成された第1の面状電極と、前記支持基板上に第2の支持アンカーを介して支持された半導体材料製の固定電極と、この固定電極の側面に前記第1の面状電極と所定の検出ギャップを存して面対向するように形成された第2の面状電極と、前記第1の面状電極及び第2の面状電極間の接触に基づいて前記印加力学量が所定レベルを越えた状態を検出する検出手段とを備えた半導体力学量センサを製造する際に、前記梁構造体及び固定電極の材料となる半導体基板を、前記支持基板に対して前記第1及び第2の支持アンカー並びにこれら支持アンカーの周囲に位置された犠牲層用薄膜などを介して貼り合わせた状態とした上で、前記半導体基板をエッチングすることによって前記梁構造体及び固定電極を形成する基板エッチング工程と、前記犠牲層用薄膜をウエットエッチングにより除去することによって前記第1及び第2の支持アンカーによりそれぞれ支持された状態の前記梁構造体及び固定電極を形成する整形工程とを順次実行するようにした製造方法において、前記半導体基板における前記梁構造体及び固定電極間の前記検出ギャップ相当位置に、当該検出ギャップの寸法より幅広な溝部を予め形成しておき、前記溝部内に導電材料を埋め込んだ後に当該導電材料をエッチングすることによって、前記検出ギャップを挟んで面対向する第1の面状電極及び第2の面状電極を形成する電極形成工程を実行することを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/84
, G01L 1/14
, G01P 15/135
H01L 29/84 Z
, G01L 1/14 A
, G01P 15/135
