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J-GLOBAL ID：200903050350268416
炭化けい素半導体素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993240773
Publication number (International publication number)：1995099325
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】SiCを半導体材料として用いて、パワー素子として使用できる低抵抗の素子をつくる。【構成】接合としてショットキー接合、あるいはエピタキシーによる積層で形成できるpn接合を用いて接合形FETを構成することにより、キャリア移動度が小さく、反転層を用いない、しかもMOSFETより抵抗の低い素子とする。また、耐圧を出すのにSiより高不純物濃度でよいベース層を用いると共に、その接合側に同導電形の低不純物濃度層を挿入して、空乏層が広がり易くすることにより、電流をより制限できるようにする。
Claim (excerpt)：
炭化けい素からなるベース層の一側に同導電形の低不純物濃度層、他側に同導電形の高不純物濃度層がそれぞれ隣接し、低不純物濃度層の表面部に選択的に接合が形成され、その接合以外の部分に選択的に同導電形の高不純物濃度領域が形成され、その高不純物濃度領域および前記高不純物濃度層にそれぞれ接触するソースおよびドレイン電極、接合に電圧を印加するゲート電極が設けられたことを特徴とする炭化けい素半導体素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/80 V
, H01L 29/48 D
