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J-GLOBAL ID：200903050356828987

X線検出素子の製造方法

Inventor： 本目 卓也
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991267631
Publication number (International publication number)：1993107362
Application date： Oct. 16, 1991
Publication date： Apr. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 X線検出素子の製造方法を改良する。【構成】 光電変換素子の受光面上にヨウ化セシウムからなるX線螢光体の積層構造を形成する第1のステップと、X線螢光体に波長0.3μm以下の紫外線を照射して活性化する第2のステップとを備える。波長0.3μm以下の紫外線が光電変換素子上のX線螢光体に照射されるので、X線螢光体の構成材料であるCsIが活性化されると共に、紫外線はこのX線螢光体で吸収されるので、光電変換素子にダメージを与えることがない。

Claim (excerpt)：

光電変換素子の受光面上にヨウ化セシウムからなるX線螢光体の積層構造を形成する第1のステップと、前記X線螢光体に波長0.3μm以下の紫外線を照射して活性化する第2のステップとを備えることを特徴とするX線検出素子の製造方法。

IPC (3)：

G01T 1/20 ,  C09K 11/61 CPF ,  G01T 1/202

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭56-153270
  
• 特開昭52-144386