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J-GLOBAL ID：200903050366311931
ドメイン反転処理が施されたニオブ酸リチウム単結晶薄膜
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田中 宏 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991191221
Publication number (International publication number)：1993017295
Application date： Jul. 05, 1991
Publication date： Jan. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】薄膜導波路型第2高調波発生素子を始めとして、各種の光学材料に好適なドメイン反転処理が施されてなるニオブ酸リチウム単結晶薄膜を提供する。【構成】タンタル酸リチウム基板上に格子整合され、周期毎に結晶軸方向に分極が反転されるようにドメイン反転処理が施されたニオブ酸リチウム単結晶薄膜である。
Claim (excerpt)：
タンタル酸リチウム基板上に格子整合され、周期毎に結晶軸方向に分極が反転されるようにドメイン反転処理が施されたニオブ酸リチウム単結晶薄膜。
IPC (4)：
C30B 29/30
, C30B 19/12
, H01L 49/02
, H01S 3/109
