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J-GLOBAL ID：200903050371019777
光導波路の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小沢 信助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991035955
Publication number (International publication number)：1993029710
Application date： Mar. 01, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】光導波路の製造方法に関し、その目的は、光導波層の結晶構造によるクラッド部材の材料選択の制限が緩和できる光導波路の製造方法を提供することにある。【構成】導波層と同一または類似の結晶構造を有する単結晶基板の表面に、導波層に比べて低い屈折率と高い融点を有し導波光の波長領域で光吸収の小さい材料よりなるバッファ層を形成する第1の工程と、該バッファ層の一部を除去する第2の工程と、バッファ層が除去された単結晶基板の表面および除去されなかったバッファ層の表面に導波層部材を形成する第3の工程と、バッファ層の除去領域からバッファ層が除去されなかった領域に向かってビームを移動させることにより導波層部材を溶融させて単結晶基板に格子整合した単結晶薄膜よりなる導波層をエピタキシャル成長させる第4の工程を経ることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
導波層と同一または類似の結晶構造を有する単結晶基板の表面に、導波層に比べて低い屈折率と高い融点を有し導波光の波長領域で光吸収の小さい材料よりなるバッファ層を形成する第1の工程と、該バッファ層の一部を除去する第2の工程と、バッファ層が除去された単結晶基板の表面および除去されなかったバッファ層の表面に導波層部材を形成する第3の工程と、バッファ層の除去領域からバッファ層が除去されなかった領域に向かってビームを移動させることにより導波層部材を溶融させて単結晶基板に格子整合した単結晶薄膜よりなる導波層をエピタキシャル成長させる第4の工程、を経ることを特徴とする光導波路の製造方法。
IPC (2)：
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