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J-GLOBAL ID：200903050381002341

論理装置上の第2層位相変化メモリアレイ

Inventor： オヴシンスキー、スタンフォード アール. ,  ウィッカー、ギー
Applicant, Patent owner： エナージー コンバーション デバイセス インコーポレイテッド
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997516747
Publication number (International publication number)：1999514150
Application date： Oct. 22, 1996
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】本発明は論理処理装置(10)及びこの論理処理装置上に溶着され、且つ前記論理処理装置と通信するメモリアレイ(30)とを含む計算ユニットである。特に本発明は論理処理装置(10)及びこの論理処理装置の上に溶着され、且つ前記論理処理装置と通信する電気的消去可能な位相変化メモリ(30)とを含む計算ユニットである。

Claim (excerpt)：

論理処理装置と、 前記論理処理装置上に溶着され、前記論理処理装置と通信可能なメモリアレイとからなる計算ユニット。

IPC (2)：

H01L 27/10 461 ,  G11C 11/56

FI (2)：

H01L 27/10 461 ,  G11C 11/56