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J-GLOBAL ID：200903050381688952

半導体装置の製造方法

Inventor： 小澤 良夫 ,  山部 紀久夫 ,  灘原 壮一 ,  小林 英行 ,  寺坂 国博 ,  山本 明人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992103080
Publication number (International publication number)：1993299413
Application date： Apr. 22, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】長期信頼性の半導体装置の実現に寄与できる良質な半導体基板を作業効率の低下を招くこと無く得ること。【構成】熱処理炉1の基板表面が露出した単結晶のシリコン基板10をアルゴンガス雰囲気中で熱処理をする工程と、熱処理炉1内からシリコン基板10を取り出す前に、酸素雰囲気中で700°Cの熱処理をシリコン基板10に施す工程を有する。

Claim (excerpt)：

熱処理容器内の基板表面が露出した半導体基板を熱処理して、前記半導体基板に含まれている酸素を除去する工程と、前記熱処理容器内から前記半導体基板を取り出す前に、前記熱処理容器の外気中でエッチングされない被膜を前記半導体基板の表面に形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/318

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-129735
  
• 特開平2-177539
  
• 特開昭61-193456
  
• 特開昭61-193458
  
• 特開昭54-023379