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J-GLOBAL ID：200903050382542145

半導体基板の熱処理方法

Inventor： 下村 順一 ,  沖本 信之
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小杉 佳男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992216658
Publication number (International publication number)：1994045270
Application date： Jul. 23, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】イオン注入後の熱処理を適切に行うことにより、イオン注入部分の格子欠陥を低減する。【構成】半導体基板にAs,P,B,BF2 等のイオンを注入した後、600°Cを超え800°C以下の温度で第1の熱処理を行い、引き続き800°Cを超え1000°C未満の温度で第2の熱処理を行う。第2の熱処理は500秒を超えて行うとよい。また、第1の熱処理をランピングにより行い、第2の熱処理を500秒を超えて行うことができる。さらに、第1および第2の熱処理をランプアニール炉で行ってもよい。

Claim (excerpt)：

半導体基板にイオンを注入した後600°Cを超え800°C以下の温度で第1の熱処理を行い、引き続き800°Cを超え1000°C未満の温度で第2の熱処理を行うことを特徴とする半導体基板の熱処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/324