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J-GLOBAL ID：200903050387944373

ウェーハ及び半導体装置の製造方法

Inventor： 古川 和由
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999065557
Publication number (International publication number)：2000260760
Application date： Mar. 11, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 基板の再利用が可能で、バックラップ工程の不要な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上に除去層2を設け、この除去層2上に分離層5を設け、この除去層2を選択的にエッチングする。このことにより、基板1を構成要素としない半導体装置を製造できる。

Claim (excerpt)：

GaAs結晶基板と、前記基板上に設けられ、前記基板上に対してエピタキシャル成長し、前記基板に対して選択的にエッチングできる除去層とを有することを特徴とするウェーハ。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/302 J ,  H01L 33/00 A

F-Term (7)：

5F041AA31 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA63 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75