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J-GLOBAL ID：200903050391603300

近傍磁界プローブ

Inventor： 竹之内 悟
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002004996
Publication number (International publication number)：2003207531
Application date： Jan. 11, 2002
Publication date： Jul. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】伝送回路部とループコイル部との間のインピーダンスの不連続点で発生する共振による検出電圧の低下を抑制して、マイクロ波の領域まで安定して使用できる近傍磁界プローブを提供する。【解決手段】誘電体1、23、35、41と、該誘電体1、23、35、41上に形成され、導電性薄膜により構成されてなるループコイル部3と、該ループコイル部3により検出された誘起起電力を伝送する伝送回路部5、21、31により構成されてなる近傍磁界プローブにおいて、該伝送回路部5、21、31のインピーダンスが伝送方向に漸次変化してなる。

Claim (excerpt)：

誘電体と、該誘電体に設けられ、導電性薄膜により構成されてなるループコイル部と、該ループコイル部により検出された誘起起電力を伝送する伝送回路部とを具備してなる近傍磁界プローブにおいて、前記伝送回路部のインピーダンスが伝送方向に漸次変化してなることを特徴とする近傍磁界プローブ。

IPC (2)：

G01R 29/08 ,  G01R 33/02

FI (3)：

G01R 29/08 F ,  G01R 29/08 D ,  G01R 33/02 B

F-Term (2)：

2G017AA01 ,  2G017AD04