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J-GLOBAL ID:200903050394085939

導波路作成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991341152
Publication number (International publication number):1993173034
Application date: Dec. 24, 1991
Publication date: Jul. 13, 1993
Summary:
【要約】【目的】 工程の簡素化及び導波損失の低減。【構成】 本発明の導波路作成方法は、シリコン基板110に屈折率低下用のドーパント(フッ素など)がドープされたクラッド層120を設け(図1(a))る。そして、炭酸ガスレーザからの光170をクラッド層120上の局所領域に集光して局所領域を溶融させる(図1(b))。つぎに、この溶融部130を所定のパターンに従って移動させて溶融部130の軌跡に高屈折率領域を形成してコア導波路パターン140を描く(図1(c))。コア導波路パターン140の形成後、FHDまたはCVDによりSiO2 の上部クラッド層150を堆積し焼結し、導波路を埋め込む(図1(d))。
Claim (excerpt):
基板上に屈折率低下用のドーパントがドープされた低屈折率層を設け、光源からの光を前記低屈折率層上の局所領域に集光して前記局所領域を融解させ、前記局所領域を所定のパターンに従って移動させて前記局所領域の軌跡に高屈折率領域を形成することを特徴とする導波路作成方法。

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