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J-GLOBAL ID：200903050402236402
窒化ガリウム系化合物半導体をp型化する方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
豊栖 康弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997098498
Publication number (International publication number)：1998178211
Application date： Dec. 17, 1996
Publication date： Jun. 30, 1998
Summary：
【要約】【課題】 p型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体を低抵抗なp型にする。p型化された窒化ガリウム系化合物半導体の抵抗値をウエハー全体に均一にする。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体をp型化する方法は、気相成長法で、基板の表面に、バッファー層を成長させる工程と、このバッファー層が成長されたウエハーに、p型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と、バッファー層と窒化ガリウム系化合物半導体層の成長されたウエハーを、アニーリングしてp型不純物の含まれる窒化ガリウム系化合物半導体層をp型化する工程とからなる。
Claim (excerpt)：
気相成長法で、基板の表面に、バッファー層を成長させる工程と、このバッファー層が成長されたウエハーに、p型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と、バッファー層と窒化ガリウム系化合物半導体層の成長されたウエハーを、アニーリングしてp型不純物の含まれる窒化ガリウム系化合物半導体層をp型化する工程とからなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体をp型化する方法。
IPC (5)：
H01L 33/00
, H01L 21/324
, H01L 27/12
, H01S 3/18
, H01L 21/205
H01L 33/00 C
, H01L 21/324 C
, H01L 27/12 S
, H01S 3/18
, H01L 21/205
