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J-GLOBAL ID：200903050407250837

結晶性薄膜の研磨方法

Inventor： 高橋 智 ,  玉木 昌徳
Applicant, Patent owner： イビデン株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991349600
Publication number (International publication number)：1993154761
Application date： Dec. 06, 1991
Publication date： Jun. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 厚みに勾配のある基板上に結晶性薄膜を形成した場合でも、結晶性薄膜を均一の膜厚に研磨することができ、さらに結晶性薄膜を再現良く同じ膜厚に研磨できる研磨方法を提供する。【構成】 基板の接着面に平面を形成し、結晶性薄膜を形成させた基板及びダミー体を被研磨体キャリアーに接着するにあたり、定盤に結晶性薄膜の被研磨面が接触しないように調整されたダミー体を、結晶性薄膜が形成された基板体の周囲に配置し、偏心荷重おもりを用いて、ダミー体の被研磨面と基板の結晶性薄膜との境界面が平行になるように研磨する工程、さらに均一に荷重をかけて薄膜を研磨する工程とで構成される。

Claim (excerpt)：

(a)結晶性薄膜を形成させた基板及びダミー体を被研磨体キャリアーに接着するにあたり、定盤に結晶性薄膜の被研磨面が接触しないように調整されたダミー体を結晶性薄膜の周囲に配置し、接着剤により接着する工程。(b)偏心荷重おもりを用いてダミー体の被研磨面と基板の結晶性薄膜との境界平面が平行になるように研磨する工程。(c)結晶性薄膜を所望の厚さに研磨する工程。以上(a)〜(c)の工程により構成される結晶性薄膜の研磨方法。

IPC (2)：

B24B 37/04 ,  B24B 37/00