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J-GLOBAL ID：200903050411634429

波長可変半導体レーザ及び透過波長可変光フィルタ

Inventor： 山口 昌幸 ,  水戸 郁夫 ,  阪田 康隆
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992249670
Publication number (International publication number)：1994104524
Application date： Sep. 18, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 光出力を大きく低下させることなく広範囲な波長制御が可能な半導体レーザ素子、及び光の透過損失、透過幅及び消光比等を劣化させることなく広範囲な波長選択が可能な半導体光フィルタを提供する。【構成】 チューニング層3に電流注入して、そこでの屈折率変化を利用して波長制御を行なうタイプの可変半導体レーザ及び波長可変光フィルタにおいて、チューニング層3に多重量子井戸構造を導入して、注入キャリアのうち、屈折率変化に寄与する電子をチューニング層全体に分布させ、吸収損失の原因になる正孔を狭い井戸層に局在させる。これにより、チューニング電流を注入した際の光に対する損失増加を従来よりも小さく抑え、一方で従来と同程度の屈折率変化を得ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上に電流注入により利得を生じる活性層と、電流注入あるいは電圧印加により屈折率変化を生じる制御層と、前記活性層と制御層とに独立に電流注入する手段とを備え、前記制御層の実効的な禁制帯幅が発振光の波長のエネルギーよりも60meV以上大きな多重量子井戸構造からなることを特徴とする波長可変半導体レーザ。