多層配線基板とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000092184
Publication number (International publication number)：2000349437
Application date： Mar. 29, 2000
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体素子のフリップチップ実装に適した表面平坦性の優れた多層配線基板とこれを容易に製造できる多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板1表面に第1の配線回路層2が被着形成されてなるコア基板Aの表面に、熱硬化性樹脂を含有する絶縁層3と、絶縁層3表面に形成された第2の配線回路層4と、第1の配線回路層2と第2の配線回路層4とを電気的に接続するビアホール導体9を具備する配線層Bを形成してなる多層配線基板Cであって、第2の配線回路層4が逆台形形状の金属箔からなり、絶縁層3の表面と同一平面となるように絶縁層3表面に埋設するとともに、ビアホール導体9を絶縁層3を貫通して第1の配線回路層4に達するようにレーザー光の照射によって形成されたビアホール7の内壁に、金属メッキ層8を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板表面に第1の配線回路層が被着形成されてなるコア基板の表面に、熱硬化性樹脂を含有する絶縁層と、該絶縁層表面に金属箔によって形成された第2の配線回路層と、前記第1の配線回路層と前記第2の配線回路層とを電気的に接続するビアホール導体を具備する多層配線層を形成してなる多層配線基板であって、前記第2の配線回路層が、断面形状が逆台形からなり、前記絶縁層の表面と同一平面となるように前記絶縁層表面に埋設されてなるとともに、前記ビアホール導体が前記絶縁層を貫通して前記第1の配線回路層に達するように形成されたビアホール内に金属メッキ層を形成してなることを特徴とする多層配線基板。

IPC (6)：

H05K 3/46 , B23K 26/00 330 , H05K 3/00 , H05K 3/18 , H05K 3/20 , B23K101:42

FI (7)：

H05K 3/46 B , H05K 3/46 N , H05K 3/46 X , B23K 26/00 330 , H05K 3/00 N , H05K 3/18 D , H05K 3/20 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

配線基板の製造方法並びに配線基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-236142 Applicant：松下電器産業株式会社
多層配線板の製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-045552 Applicant：日立化成工業株式会社
特開昭62-291095

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