半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992020833
Publication number (International publication number)：1994053216
Application date： Feb. 06, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】ヒロックの発生を防止し、ストレスマイグレーション耐性およびエレクトロマイグレーション耐性の良好な電極配線を有する半導体装置を提供すること。【構成】Al-Si-Cu合金膜と反応性スパッタリング法で形成した窒化チタン膜をそれぞれ交互に2層以上積層した多層膜は、機械的に変形し難く、ヒロックの発生を防止できる。また、粒界および界面にTi-Al金属間化合物ができ、ボイドの発生を抑止する。中間の窒化チタン膜によりボイドの伝播が阻止される。また、Ti-Al化合物の形成は制限され、抵抗上昇は無視できる。

Claim (excerpt)：

シリコンチップの所定の絶縁膜を、Al-Si-Cu合金膜と窒化チタン膜とを交互にそれぞれ少なくとも2層宛積層した多層膜で選択的に被覆してなる電極配線を有することを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭64-059937
特開昭60-119751
特開昭62-114241

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