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J-GLOBAL ID：200903050442948057

有機薄膜トランジスタ素子

Inventor：
平井 桂

About 平井 桂


Applicant, Patent owner：
コニカミノルタホールディングス株式会社

About コニカミノルタホールディングス株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002366442
Publication number (International publication number)：2004200365
Application date： Dec. 18, 2002
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：
【課題】樹脂基板やフィルム支持体を用いて素子を構成しても、電極や絶縁膜の接着性に優れ、機械的強度に優れて支持体の曲がりにも強い耐性を有し、かつキャリア移動度等のトランジスタ特性に優れる有機薄膜トランジスタ素子を提供する。【解決手段】ポリマーを含む下引き層を下層として、その上に無機酸化物及び無機窒化物から選ばれる化合物を含有する下引き層上層を有し、該下引き層上層に接して電極を有し、更にゲート絶縁層を介して電極を有する有機薄膜トランジスタ素子。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
樹脂からなる支持体上に、無機酸化物及び無機窒化物から選ばれる化合物を含有する下引き層を有し、該下引き層に接して電極を有し、更にゲート絶縁層を介して電極を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子。
IPC (3)：
H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/00
FI (4)：
H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/28
F-Term (45)：
2H092JA24 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092KA09 ,  2H092PA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD30 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE34 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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