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J-GLOBAL ID：200903050452315575

分散性および密着性に優れた導電性粉体の製造方法

Inventor： ソン ウォン イル ,  キム ドン オック ,  ジン ジョン フィ ,  オ ショック ヒュン
Applicant, Patent owner： ハンファ ケミカル コーポレーション
Agent (3)： 阿仁屋 節雄 ,  油井 透 ,  清野 仁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008535464
Publication number (International publication number)：2009511746
Application date： Oct. 13, 2006
Publication date： Mar. 19, 2009
Summary：

本発明は、分散性および密着性に優れた導電性無電解メッキ粉体の製造方法に係り、さらに具体的には、無電解メッキ工程上で樹脂粉体の基材表面に金属メッキ層を形成させる無電解メッキ法による導電性粉体の製造方法において、前記メッキ層の形成の際に超音波処理を施す、分散性および密着性に優れた導電性無電解メッキ粉体の製造方法に関する。本発明は、無電解メッキ法によって樹脂粉体の基材をメッキするときに発生する凝集現象がなく、低温でもメッキ反応を行うことができるため、緻密なメッキ層、および樹脂粉体との密着性および均一性に優れるメッキ粉体を得ることができる。また、本発明は、従来の技術とは異なり、後処理工程がなく、低温で反応を行うことにより、工程運営費が低価であり、工程が簡単であるという利点がある。

Claim (excerpt)：

無電解メッキ液を用いて樹脂粉体の基材表面に金属メッキ層を形成させる無電解メッキ法による導電性粉体の製造方法において、前記メッキ層形成の際に超音波処理を施すことを特徴とする、分散性および密着性に優れた導電性無電解メッキ粉体の製造方法。

IPC (1)：

C23C 18/16

FI (1)：

C23C18/16 A

F-Term (23)：

4K022AA13 ,  4K022AA14 ,  4K022AA15 ,  4K022AA16 ,  4K022AA17 ,  4K022AA18 ,  4K022AA19 ,  4K022AA21 ,  4K022AA22 ,  4K022AA23 ,  4K022AA35 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA06 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022BA18 ,  4K022BA21 ,  4K022DA01 ,  4K022DB01 ,  4K022DB11 ,  4K022DB26 ,  4K022DB30