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J-GLOBAL ID：200903050454875314

高分子電解質ゲル組成物およびその製造方法

Inventor： 丸山 國男 ,  田中 浩二
Applicant, Patent owner： 東洋紡績株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000158846
Publication number (International publication number)：2001335707
Application date： May. 29, 2000
Publication date： Dec. 04, 2001
Summary：

【要約】【課題】 電気化学デバイス用材料として有用なイオン伝導性高分子電解質ゲル組成物、並びに該組成物の製造方法を提供する。【解決手段】 重合性を有するアミノ基や第4級アンモニウム塩基を有するアミン成分化合物が導入され、該アミン成分化合物残基がカルボン酸を除く酸と塩を形成していない遊離状態にあり、更に架橋構造を有するカチオン性架橋高分子、非水系溶剤及び支持電解質を必須成分とする新規な高分子電解質ゲル組成物及びその製造法。

Claim (excerpt)：

重合性を有する第1級アミン化合物、第2級アミン化合物、第3級アミン化合物、第4級アンモニウム化合物及び1分子中に同一級若しくは異なる級に属する複数のアミノ基を有する化合物(以下アミン成分化合物と称する)から選ばれた1種以上のアミン成分化合物が導入され、該アミン成分化合物残基がカルボン酸を除く酸と塩を形成していない遊離状態にあり、更に架橋構造を有するカチオン性架橋高分子、非水系溶剤及び支持電解質を必須成分とする高分子電解質ゲル組成物。

IPC (9)：

C08L101/02 ,  C08J 3/24 CER ,  C08L101/06 ,  C08L101/08 ,  H01B 1/06 ,  H01G 9/038 ,  H01G 9/035 ,  H01G 9/00 ,  H01M 10/40

FI (9)：

C08L101/02 ,  C08J 3/24 CER Z ,  C08L101/06 ,  C08L101/08 ,  H01B 1/06 A ,  H01M 10/40 B ,  H01G 9/00 301 D ,  H01G 9/02 311 ,  H01G 9/24 A

F-Term (48)：

4F070AA32 ,  4F070AA34 ,  4F070AA35 ,  4F070AA38 ,  4F070AA74 ,  4F070AA75 ,  4F070AC18 ,  4F070AC35 ,  4F070AC48 ,  4F070AE06 ,  4F070AE08 ,  4F070GA09 ,  4F070GB05 ,  4F070GB09 ,  4J002BE011 ,  4J002BG011 ,  4J002BG071 ,  4J002BG091 ,  4J002BG101 ,  4J002BG121 ,  4J002BH021 ,  4J002BJ001 ,  4J002CD191 ,  4J002DD036 ,  4J002DE196 ,  4J002DH006 ,  4J002DK006 ,  4J002EN136 ,  4J002EV216 ,  4J002EV256 ,  4J002FD116 ,  4J002GQ02 ,  4J002HA00 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE01 ,  5H029AJ06 ,  5H029AM01 ,  5H029AM03 ,  5H029AM04 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029AM16 ,  5H029CJ08 ,  5H029CJ11 ,  5H029DJ09 ,  5H029HJ10 ,  5H029HJ14