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J-GLOBAL ID：200903050468966975

発光素子及びその製造方法

Inventor： 和田 恭雄 ,  久▲禮▼ 得男 ,  後藤 康 ,  須藤 敬己 ,  吉村 俊之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992291162
Publication number (International publication number)：1994140669
Application date： Oct. 29, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 10nm以下の寸法を持つ極微細なシリコン量子細線からなる高効率発光素子及びその製造方法の提案。【構成】 基板上に絶縁膜を介して形成された太さ0.01μm以下の量子細線中に形成されたp-n接合からなる基本構成において、量子細線の両端からキャリアを注入する。【効果】 シリコン集積回路プロセスと互換性があり、かつ高効率な発光特性を示すデバイスを実現可能。

Claim (excerpt)：

p-n接合を持つシリコンの量子細線からなり、接合域に電子と正孔とを注入することを特徴とする発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18