Pat
J-GLOBAL ID：200903050470708266

半導体デバイスの配線電流観測方法、検査方法および装置

Inventor：
二川 清

About 二川 清


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 山内 梅雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995302649
Publication number (International publication number)：1997145795
Application date： Nov. 21, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ビームの照射によって電子・正孔対の発生がなく、またイオンビームのような破壊的な要素のない半導体デバイスの配線電流観測方法、検査方法および装置を得ること。【解決手段】 試料台21に載置された試料としての集積回路12には、赤外線レーザ光源23から顕微鏡部本体24および対物レンズ25を経て赤外線レーザビーム11が照射される。集積回路12の電源端子には定電圧源15が接続されており、配線部分のビーム照射による抵抗変化でグランド端子に電流の変化が生じ、電流変化検出部17がこれを検出する。システム制御・信号処理部27はこの信号の処理を行って、像・波形表示部28に電流像、欠陥像または電流波形を表示させる。従来可視光を照射したのに対して、本発明では赤外線を使用するので、電子・正孔対の発生がなく、イオンビームのような破壊的な要素もない。
Claim (excerpt)：
赤外線ビームを半導体デバイスの被観測領域にチップの裏面または上面から照射し、この赤外線ビームの照射に伴ってこの半導体デバイスの所定の端子に現われる電流の変化を検出してその被観測領域の配線電流観測を行うことを特徴とする半導体デバイスの配線電流観測方法。
IPC (2)：
G01R 31/302 ,  H01L 21/66
FI (2)：
G01R 31/28 L ,  H01L 21/66 S
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM