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J-GLOBAL ID：200903050477877110

半導体装置

Inventor： 岩井 洋
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993228368
Publication number (International publication number)：1995086579
Application date： Sep. 14, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 極浅拡散層を用いてもゲート側壁下のソース,ドレインの抵抗を小さくすることができ、より微細化に適した半導体装置を提供すること。【構成】 半導体基板上にMOSトランジスタを形成した半導体記憶装置において、n型Si基板11上に素子形成領域を囲むように形成された素子分離領域12と、基板11上にゲート酸化膜13を介して形成されたゲート電極14と、このゲート電極14のソース・ドレイン形成側の基板11上に形成された硼素添加のSiエピタキシャル層15と、ゲート電極14の側部でSiエピタキシャル層15の上に形成された側壁絶縁膜16と、Siエピタキシャル層15からの固相拡散により基板表面に形成されたp型の極浅拡散層(ソース・ドレイン領域)18とを具備してなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、このゲート電極のソース・ドレイン形成側の基板上に形成された半導体層と、前記ゲート電極の側部で前記半導体層の上に形成された側壁絶縁膜と、前記基板表面に形成されたソース・ドレイン領域とを具備してなることを特徴とする半導体記憶装置。