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J-GLOBAL ID：200903050485141432

半導体装置の製造方法

Inventor： 岸井 貞浩 ,  原田 秀樹 ,  大倉 嘉之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994046222
Publication number (International publication number)：1995254596
Application date： Mar. 16, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】研磨により絶縁膜を平坦化する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、凹凸のある領域を覆う絶縁膜を研磨によりより一層平坦に形成すること。【構成】基板11の凹凸のある側の面上に、絶縁成分含有液15bと該絶縁成分含有液15bよりも硬い微粒子15aとからなる第1の液状絶縁性材料15を塗布する工程と、前記第1の液状絶縁性材料15の固化を促進する工程と、前記第1の液状絶縁性材料15を研磨して平坦化する工程とを有することを含む。

Claim (excerpt)：

基板(11)の凹凸のある側の面上に、絶縁成分含有液(15b)と該絶縁成分含有液(15b)よりも硬い絶縁性の微粒子(15a)とからなる第1の液状絶縁性材料(15)を塗布する工程と、前記第1の液状絶縁性材料(15)の固化を促進する工程と、前記第1の液状絶縁性材料(15)を研磨して平坦化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/768