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J-GLOBAL ID：200903050489524565

エツチング方法

Inventor： 崎山 英之 ,  森本 忠雄 ,  久▲礼▼ 得男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991298778
Publication number (International publication number)：1993136103
Application date： Nov. 14, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【目的】Alドライエッチングにおいて、高アスペクト比に伴う側壁保護膜不足によるサイドエッチを防止する。【構成】塩素を含むガスによるドライエッチングでは、Al4との選択比が極めて高いW5をエッチングマスクとすることにより、マスクの薄膜化が図られる。【効果】マスクの薄膜化により、パターンのアスペクト比を下げ、微細パターンの加工側壁を保護できるので、サイドエッチを防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

塩素または、塩素を含むガスを用いてAl,Al-Si合金、Al-Cuなどの単層膜もしくはこれらとTi,TiNなどの金属の積層膜をドライエッチングする方法において、エッチングマスクにWもしくはMoを用いることを特徴とするエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 N