Pat

J-GLOBAL ID：200903050490151250

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 小森 重樹 ,  塚本 克博
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992087330
Publication number (International publication number)：1993129429
Application date： Apr. 08, 1992
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 微細化に適したウェル構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 分離酸化膜(22)によって分離絶縁された活性領域において、所定の深さに平板状のウェル(24,26,28)を埋込形成し、その平板状ウェル(24,26,28)の表面全面に接するとともに、上部周辺が全周にわたって分離酸化膜(22)の下面に接するように埋込形成された、高濃度不純物層(32,33,34)を有する。その結果、すべてのウェルが熱拡散工程を経ずに形成されるため、チャネルへの不純物の染み出しによる不都合な現象が防止される。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板表面に形成され、活性領域を分離絶縁する分離酸化膜と、この分離酸化膜によって分離絶縁された活性領域表面から所定の深さにかけて形成された上層第1導電型ウェルと、この上層第1導電型ウェルの下面を覆い、かつ前記上層第1導電型ウェルの周側面を前記分離酸化膜とともに包囲するように、前記活性領域全域にわたって連続して埋込形成された、所定厚さの高濃度第1導電型層と、前記高濃度第1導電型層の下面を覆うように前記活性領域全域にわたって埋込形成された、所定厚さの下層第1導電型ウェルと、を備えた半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/108

FI (2)：

H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/10 325 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-220858
  
• 特開平2-123766
  
• 特開昭62-248247