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J-GLOBAL ID：200903050505393131

III-V族材料系のハイブリッドバイポーラ・電界効果電力トランジスタ

Inventor： ローレンス・イー・ラーソン ,  ピーター・アスベック ,  ジュリア・ジェイ・ブラウン
Applicant, Patent owner： ヒューズ・エアクラフト・カンパニー
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993325114
Publication number (International publication number)：1995014845
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、高電子移動度、高破壊電圧、高動作速度、低損失のIII-V族材料で構成されたハイブリッドトランジスタを提供することを目的とする。【構成】 コレクタ48、エミッタ44および漂遊ベース46を有する垂直バイポーラトランジスタ構造42と、横方向のチャンネル64, 66と、このチャンネル64, 66を通って電流を導く手段と、チャンネル64, 66から垂直バイポーラトランジスタ構造のベースへの垂直電荷キャリア注入路を有する接合ゲートタイプ電界効果トランジスタ構造62とを具備していることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

コレクタ、エミッタおよび漂遊ベースを有する垂直バイポーラトランジスタ手段と、横方向のチャンネルと、このチャンネルを通って電流を導く手段と、およびチャンネルから前記垂直バイポーラトランジスタ手段のベースへの垂直電荷キャリア注入路を有する接合ゲートタイプ電界効果トランジスタ手段とを具備していることを特徴とするハイブリッドトランジスタ。

IPC (9)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808

FI (5)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/78 321 J ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 C