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J-GLOBAL ID：200903050523717602

低エネルギー中性子照射装置

Inventor： 田中 豊
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998224552
Publication number (International publication number)：2000056098
Application date： Aug. 07, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 中性子非破壊検査装置用の低エネルギー中性子照射装置において、高エネルギー中性子源を小出力化して安全性を向上する。【解決手段】 低エネルギー中性子照射装置10は、放射性同位元素1と、放射性同位元素1を取り囲む鉛ブロック5と、鉛ブロック5を取り囲み照射方向のみが開いた照射容器3とから構成されている。

Claim (excerpt)：

高エネルギー中性子源と、同高エネルギー中性子源を取り囲む中性子増倍減速領域と、同中性子増倍減速領域を取り囲み照射方向のみが開いた照射容器とから構成され、前記中性子増倍減速領域は中性子増倍反応の反応断面積が大きい核種から形成されていることを特徴とする低エネルギー中性子照射装置。

IPC (3)：

G21K 5/02 ,  H05H 3/06 ,  H05H 6/00

FI (3)：

G21K 5/02 N ,  H05H 3/06 ,  H05H 6/00

F-Term (4)：

2G085AA20 ,  2G085BA20 ,  2G085EA05 ,  2G085EA06