Pat

J-GLOBAL ID：200903050525271849

IIb型ダイヤモンド単結晶の育成方法

Inventor： 角谷 均 ,  佐藤 周一
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992011117
Publication number (International publication number)：1993200271
Application date： Jan. 24, 1992
Publication date： Aug. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 サーミスタやトランジスタなどに用いられる半導体特性を有する大型のIIb型ダイヤモンド単結晶の新規な育成方法を提供する。【構成】 温度差法によりダイヤモンド単結晶を育成する方法において、炭素源としてホウ素を孤立置換型不純物として結晶内に含むIIb型ダイヤモンドを用いることを特徴とする。これにより種結晶上に育成されるIIb型ダイヤモンドはホウ素が均一に分布した大型単結晶であり、半導体特性の非常に優れたものである。

Claim (excerpt)：

高温部に炭素源、低温部にダイヤモンドの種結晶を配し、該炭素源と該種結晶の間に溶媒を配して、該溶媒が溶解する温度以上、ダイヤモンドか熱的に安定となる圧力以上の条件で保持し、該種結晶上に新たなダイヤモンド結晶を育成する方法において、該炭素源としてホウ素を孤立置換型不純物として結晶内に含むIIb型ダイヤモンドを用いて、該種結晶上に、少なくとも該炭素源に用いたIIb型ダイヤモンドより大きく結晶内部のホウ素濃度分布が均一であるIIb型ダイヤモンド結晶を育成することを特徴とする上記方法。

IPC (5)：

B01J 3/06 ,  C01B 31/06 ,  C30B 9/10 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/205