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J-GLOBAL ID：200903050531379503

高熱伝導性窒化けい素構造部材および半導体パッケージ

Inventor： 小松 通泰 ,  佐藤 孔俊 ,  篠澤 和弘
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993333595
Publication number (International publication number)：1995187793
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】窒化けい素焼結体が本来備える高強度特性に加えて、熱伝導率が高く放熱性に優れた窒化けい素構造部材およびそれを用いた半導体パッケージを提供する。【構成】本発明に係る高熱伝導性窒化けい素構造部材は、希土類元素を酸化物に換算して1.0〜7.5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合計で0.3重量%以下含有し、熱伝導率が60W/m・Kより大きいことを特徴とする。また窒化けい素粒子および粒界相により構成され、粒界相中における結晶化合物相が粒界相全体に対して体積比で20%以上を占め、熱伝導率が60W/m・Kより大きいことを特徴とする。さらに本発明の半導体パッケージは、半導体チップ2が搭載されたセラミックス基体1と、セラミックス基体1の半導体チップ2の搭載面側に接合されたリードフレーム5と、半導体チップ2とリードフレーム5とを電気的に接続するボンディングワイヤ6とを具備する半導体パッケージ9において、上記セラミックス基体1を、上記高熱伝導性窒化けい素構造部材にて形成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

希土類元素を酸化物に換算して1.0〜7.5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合量で0.3重量%以下含有し、熱伝導率が60W/m・K以上であることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素構造部材。

IPC (3)：

C04B 35/584 ,  H01L 23/08 ,  H01L 23/15

FI (3)：

C04B 35/58 102 Y ,  C04B 35/58 102 D ,  H01L 23/14 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-052287
  
• 特開昭63-100066
  
• 特開平4-125950
  
• 特開平4-212441