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J-GLOBAL ID：200903050532740358

レーザ照射による絶縁膜付き半導体基板の製造方法

Inventor： 井本 克之 ,  佐藤 忍 ,  於曽能 啓一
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997360836
Publication number (International publication number)：1999195624
Application date： Dec. 26, 1997
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 基板を格子状に、精度良く、かつ速い速度で割断することのできるレーザ照射による絶縁膜付き半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板1の少なくとも片面にその基板面の一方端から他方端に亘る溝2を割断線として形成し、この基板面を覆う絶縁膜3を形成し、この絶縁膜3上に照射したCO2 レーザ光Lを前記溝2に沿わせて移動させることにより、熱応力による亀裂をこのCO2 レーザ光の移動方向に進展させて前記Si基板1を割断する。

Claim (excerpt)：

Si基板の少なくとも片面にその基板面の一方端から他方端に亘る溝を割断線として形成し、このSi基板を覆う絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に照射したCO2 レーザ光を前記溝に沿わせて移動させることにより、熱応力による亀裂をこのCO2 レーザ光の移動方向に進展させて前記Si基板を割断することを特徴とするレーザ照射による絶縁膜付き半導体基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/301 ,  B23K 26/00 320

FI (2)：

H01L 21/78 B ,  B23K 26/00 320 E