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J-GLOBAL ID：200903050536213727

半導体装置とその製造方法

Inventor： 塩沢 勝臣 ,  大石 敏之
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998019361
Publication number (International publication number)：1999220017
Application date： Jan. 30, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 異なる幅を有する分離絶縁体を備え、高い信頼性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の主表面には、第1の幅W7を有する溝4aと、第1の幅W7より狭い幅W6を有する第2の溝4bが形成されている。第1の溝4aを充填するように、外側壁を有する第1の分離絶縁体6a、8aが形成されている。第2の溝4bを充填するように、外側壁を有する第2の分離絶縁体6bが形成されている。第1の分離絶縁体6a、8aは、外側壁を形成する側壁絶縁膜8aと、側壁絶縁膜8aに囲まれ、第1の溝4aを充填する内部絶縁膜6aとを含む。第2の分離絶縁体6bは、外側壁を形成し、かつ、第2の溝4bを充填する内部絶縁膜6bを含む。

Claim (excerpt)：

第1の幅を有する第1の溝と、前記第1の幅よりも狭い幅を有する第2の溝とが主表面に形成された半導体基板と、前記第1の溝を充填するように形成され、素子形成領域を分離し、外側壁を有する第1分離絶縁体と、前記第2の溝を充填するように形成され、素子形成領域を分離し、外側壁を有する第2分離絶縁体とを備え、前記第1分離絶縁体は、前記外側壁を形成する側壁絶縁膜と、前記側壁絶縁膜によって囲まれた、前記第1の溝を充填する内部絶縁膜とを含み、前記第2分離絶縁体は、前記外側壁を形成し、かつ、前記第2の溝を充填する内部絶縁膜を含む、半導体装置。